Location
Размещение
Auto Configuration |
Включение и выключение автонастройки временных параметров памяти.
Большинство плат известных производителей сами не плохо настраивают в
режиме "Авто". При выключенной опции возможна настройка вручную. |
Enabled Disabled |
|
DRAM Timing |
Настройка временной характеристики записи/чтения памяти. Чем меньше
цифра, тем быстрее идет обмен с памятью. Эту характеристику можно
прочитать на самих микросхемах памяти (Например: -6 или -60 это 60ns) |
AUTO 70ns 60ns 50ns |
|
L1 / L2 Cache Update Mode |
WriteBack В схеме обновления с обратной записью
используется бит "изменения" в поле тэга. Этот бит устанавливается, если
блок был обновлен новыми данными и является более поздним, чем его
оригинальная копия в основной памяти. Перед тем как записать блок из
основной памяти в кэш-память, контроллер проверяет состояние этого бита.
Если он установлен, то контроллер переписывает данный блок в основную
память перед загрузкой новых данных в кэш-память. Обратная запись
быстрее сквозной, так как обычно число случаев, когда блок изменяется и
должен быть переписан в основную память, меньше числа случаев, когда эти
блоки считываются и перезаписываются. Однако обратная запись имеет
несколько недостатков. Во-первых, все измененные блоки должны быть
переписаны в основную память перед тем, как другое устройство сможет
получить к ним доступ. Во-вторых, в случае катастрофического отказа,
например, отключения питания, когда содержимое кэш-памяти теряется, но
содержимое основной памяти сохраняется, нельзя определить, какие места в
основной памяти содержат устаревшие данные. Hаконец, контроллер
кэш-памяти для обратной записи содержит больше (и более сложных)
логических микросхем, чем контроллер для сквозной записи. Hапример,
когда система с обратной записью осуществляет запись измененного блока в
память, то она формирует адрес записи из тэга и выполняет цикл обратной
записи точно так же, как и вновь запрашиваемый доступ.
WriteTrhu Сквозная запись. При обновлении
кэш-памяти методом сквозной записи контроллер кэш-памяти одновременно
обновляет содержимое основной памяти. Иначе говоря, основная память
отражает текущее содержимое кэш-памяти. Быстрое обновление позволяет
перезаписывать любой блок в кэш-памяти в любое время без потери данных.
Система со сквозной записью проста, но время, требуемое для записи в
основную память, снижает производительность и увеличивает количество
обращений по шине (что особенно заметно с мультизадачной
системе). Буферизованная сквозная запись. С схеме
обновления с буферизованной сквозной записью любая запись в основною
память буферизуется, то есть информация задер живается в кэш-памяти
перед записью в основную память (схемы кэш-памяти управляют доступом к
основной памяти асинхронно по отношению к работе процессора). Затем
процессор начинает новый цикл до завершения цикла записи в основную
память. Если за записью следует чтение, то это кэш-попадание, так как
чтение может быть выполнено в то время, когда контроллер кэш-памяти
занят обновлением основной памяти. Эта буферизация позволяет избежать
снижения производительности, характерного для системы со сквозной
записью. У этого метода есть один существенный недостаток. Так как
обычно буферизуется только одиночная запись, то две последовательные
записи в основную память требуют цикла ожидания процессора. Кроме этого,
запись с пропущенным последующим чтением также требует ожидания
процессора. Состояние ожидания - это внутреннее состояние, в которое
входит процессор при отсутствии синхронизирующих сигналов. Состояние
ожидания используется для синхронизации процессора с медленной памятью.
|
WriteBack WriteThru |
|
L2 (WB) Tag Bit Length |
Эта опция используется для установки кэш-памяти в WriteBack моду. При
выборе 7bit - WriteBack, при 8bit - WriteTrhu. Эта опция присутствует в
BIOS если нет преддыдущей опции и выполняет то-же самое. Так-же иногда
пишется как 7+1 или 8+0. Тоесть работа кэша выравненого на байт. |
7 bit 8 bit |
|
DRAM RAS# Precharge Time |
Имеет смысл только на старых 486 и ниже. В современных машинах этой
настройкой управляет само CPU. DRAM RAS# - линия данных памяти, сигнал
выбора строки (Row Access Strobe). Изменяя этот параметр - можно изменить
время занятости процессора на выполнение математических операций. Чем ниже
значение - тем выше производителность. Изменяя это значение в современных
компьютерах вы ничего не получите, но возможны и проблемы если у Вас
одновременно стоят разные типы памяти. Рекомендованное значение - AUTO или
по умолчанию. |
|
|
Turbo Read Leadoff (TRL) |
(???) При включении данной опции производится обход первого входного
регистра конвеера данных памяти, в результате в 1 HCLK происходит
синхронизация. TRL может устанавливатся только при включенном кэш. Если
ERRCMD[1:0] не 00 - данная опция не устанавливается. При шине 50/60MHz
возможна установка как Speculative Leadoff так и Turbo Read Leadoff. При
шине 66MHz только Speculative Leadoff |
|
|
Fast RAS to CAS Delay |
Суммарное количество циклов которое будет принято за сигнал доступа к
столбцу (CAS), следующий за сигналами доступа к строке (RAS). Чем меньше
значение тем быстрее. Значение зависит от качества и типа памяти. После
установки значение необходимо тестирование подсистемы памяти. |
|
|
DRAM Read Burst (EDO/FP) |
Большинство обращений к памяти происходит типа Burst. Это связано с
кэшированием чтения памяти. Так-как читается не один байт(слово, длинное
слово) а сразу 4 или 8 последовательных длинных слов(DWORD) в строке. Это
ускоряет чтение так как адрес передается один раз и дальше данные
последовательно читаются из одной строки. В циклах чтения это выглядит
как: x-y-y-y для Normal Burst, или как: x-y-y-y-z-y-y-y для
Back-to-Back Burst. Для памяти с конвеерной организацией это выглядит как:
3-1-1-1 или 3-1-1-1-1-1-1-1. Если в кэш-памяти процессора
эти величины не регулируются, то при работе с памятью это возможно
изменять. Чем меньше эти величины, тем быстрее чтение из памяти. Для EDO
значения ниже, чем для FPRAM. Рекомендации Intel
Чипсет
FPRAM
EDO
SDRAM
430FX |
7-3-3-3 |
7-2-2-2 |
|
430VX |
6-3-3-3 |
6-2-2-2 |
7-1-1-1 |
430HX |
5-3-3-3 |
5-2-2-2 |
|
430TX |
5-3-3-3 |
5-2-2-2 |
5-1-1-1 |
440BX |
|
|
x-1-1-1 |
440EX |
|
|
x-1-1-1 |
440GX |
|
|
x-1-1-1 | |
|
|
DRAM R/W Leadoff Timing |
Это значение "x" из вышеуказанного примера. Чем ниже значение тем
быстрее работа с памятью. |
|
|
DRAM Write Burst Timing |
Тип записи в память. Аналогично чтению из памяти. Чем меньше значение
- тем выше производителность. |
|
|
Turbo Read Pipelining |
(???) |
|
|
Speculative Lead Off |
Подача сигнала упреждающего чтения, до полного декодирования адреса.
Уменьшает общее время чтения из памяти. Основанно на использовании
возможностей кэширования памяти. Доступно с чипсетов 430HX и выше.
Включение этой опции ускоряет чтение из памяти. |
Enabled Disabled |
|
Fast MA to RAS# Delay CLK |
Величина задержки между концом цикла чтения строки (RAS) и активизации
адресной шины памяти. |
1 CCLK 2 CCLK |
|
Fast EDO Path Select |
Выбор укороченного маршрута чтения CPU из EDO памяти для упреждающих
циклов. Уменьшает время ожидания для операции чтение. В положение
выключенно, если установленны быстрые циклы чтения. |
Enabled Disabled |
|
Refresh RAS# Assertion |
Количество циклов чтения строки (RAS) для выдачи сигнала обновления
динамического ОЗУ (Refresh). По умолчанию: 5 |
1-10 |
|
ISA Bus Clock |
Стандартная частота шины ISA: 8,3 MHz. В некоторых реализациях через
BIOS возможно изменение частоты шины через изменение коофициента делителя
системной шины. Например системная шина работатет на частоте 33MHz, тогда
при установке делителя 1/3 - частота на ISA будет 11MHz. Это ускоряет
работу многих ISA устройств, но с другой стороны они могут вообще не
заработать или работать с ошибками. |
1/2 1/3 1/4
|
|
System BIOS Cacheable |
При включенном положении кэшируется не только основная память, но и
область BIOS |
Enabled Disabled |
|
Video BIOS Cacheable |
При включенном положении кэшируется не только основная память, но и
область Video BIOS |
Enabled Disabled |
|
8 Bit I/O Recovery Time & 16 Bit I/O Recovery Time |
Значения в циклах таймера на задержку между двумя командами при
доступе к портам I/O. Чем ниже значение, тем быстрее идет доступ к портам
ввода-вывода. |
|
|
Peer Concurrency & Chipset NA# Asserted |
Параллельная обработка на шине PCI. Ускоряет работу PCI устройств, но
возможно найдутся устройства которые не смогут работать при этой опции.
Оптимальное значение: Enabled. Если эта опция включена то CPU может
выполнять циклы DRAM/L2, когда non-PHLD ведущие PCI устройства исполняют
неблокирующие циклы между другими равными PCI-устройствами. CPU-to-PCI
циклы являются блокирующими (BRDY# остановлен) и выводятся на шину с
определенной последовательностью. Если эта опция отключена то CPU будет
блокирован на время обмен по шине PCI. |
Enabled Disabled |
|
Опции кэширования |
1MB Cache memory |
(???) |
Enabled Disabled |
|
Alt Bit in Tag RAM |
Определяет способ сохранения информации в кэш-памяти второго уровня
(L2). 7+1 - определяет WriteBack способ. |
7+1 bits 8+0 bits |
|
Block-1 Memory Cacheable |
Выбирается Yes - если надо кэшировать Local Memory Access Block-1 |
Yes No |
|
Burst Copy-Back Option |
Enabled - при чтении процессором памяти в кэш, если произошел промах,
то чипсет инициализирует повторное чтенние (в Burst режиме) |
Enabled Disabled |
|
Burst SRAM Burst Cycle |
Определяет режим чтения и записи кэш-памяти второго уровня (L2) в
Burst режиме. Чем ниже значение, тем выше производительность. |
4-1-1-1 3-1-1-1 |
|
Burst Write |
Enabled - Процессор пишет в кэш-память второго уровня (L2) в режиме
Burst |
Enabled Disabled |
|
CPU Cycle Cache Hit WS |
Normal - использовать обычный рефреш для обновления кэш-памяти второго
уровня (L2) |
Normal Fast |
|
CPU Write Back Cache |
Enabled: Для внутреннего кэша (L1) используется метод
WriteBack.
Disabled: Для внутреннего кэша (L1) используется метод
WriteThrough. |
Enabled Disabled |
|
C000 Cacheable |
Кэширование области C000-C7FF (Области видеобиоса). |
Enabled Disabled |
|
C000 Shadow Cacheable |
Кэширование области C000-C7FF (Области видеобиоса). |
Enabled Disabled |
|
Cacheable Range |
Устанавливает область кэширования для system-BIOS или BIOS
дополнительных устройств |
0..8MB 0..128MB |
|
Cache Burst Read |
Процессор читает из кэш-памяти второго уровня (L2) в режиме Burst за
один (1T) или два цикла (2T) |
1T 2T |
|
Cache Burst Read Cycle |
Процессор читает из кэш-памяти второго уровня (L2) в режиме Burst за
один (1CCLK) или два цикла (2CCLK) |
1CCLK 2 CCLK |
|
Cache Early Rising |
Enabled: Использование метода записи в кэш второго уровня (
L2) по срезу усиленого импульса. Повышает производительность.
Disabled: Используется нормальный метод записи. |
Enabled Disabled |
|
Cache Read Timing / Cache Read Wait States |
Задержка на чтения кэш-памяти второго уровня (L2) в wait-states |
0WS 1WS |
|
Cache Tag Hit Wait States |
Установка количество wait-states для чтения кэш-памяти второго уровня
(L2) |
0WS 1WS |
|
Cache Timing Control |
Установка скорости чтения/записи кэш-памяти второго уровня (L2) |
Fast Medium Normal Turbo |
|
Cache Update Policy |
Установка метода кэширования кэш-памяти второго уровня (L2) |
WriteBack WriteTrhu |
|
Cache Update Scheme |
Установка метода кэширования кэш-памяти второго уровня (L2) |
WriteBack WriteTrhu |
|
Cache Scheme |
Установка метода кэширования кэш-памяти второго уровня (L2). W/B with
dirty - используется метод WriteBack c с разделением tag-битов и
dirty-битов. |
WriteBack WriteTrhu W/B with dirty |
|
Cache Write Policy |
Установка метода кэширования кэш-памяти второго уровня (L2) |
WriteBack WriteTrhu |
|
Cache Write Cycle |
Установка количества циклов процессорного времени для записи в
кэш-память второго уровня (L2). Чем меньше значение - тем выше
производительность. |
2T 3T |
|
Cache Write Timing |
Установка скорости записи в кэш-память второго уровня (L2) |
0WS 1WS |
|
Cache Write Wait States |
Установка количество wait-states для записи в кэш-память второго
уровня (L2) |
0WS 1WS |
|
Combine Alter & Tag Bits |
|
Combine Separate |
|
Dirty pin selection |
|
I/O IN |
|
System type |
UP: однопроцессорная система
DP: двухпроцессорная система |
UP DP |